崗位職責:
1.提供半導體砷化鎵(GaAs)和氮化鎵(GaN)器件模型開發(fā)和優(yōu)化的解決方案,確保模型的準確性和可靠性;
2.提供器件測試方案,包括I-V測試、連續(xù)波(CW)和脈沖S參數測試,功率測試、噪聲測試以及溫度相關的特性測試等;
3.深度參與跨部門合作,提供建模支持,提升器件良率和優(yōu)化模型精度,探索新型建模技術和方法;
4.撰寫詳細的技術文檔,記錄建模過程、測試結果、模型參數等關鍵信息;建立及優(yōu)化器件建模相關標準流程。
5.完成領導安排的其他任務。
崗位要求:
1. 博士及以上學歷,電子工程、半導體物理、微電子學或相關專業(yè),具備扎實的半導體專業(yè)理論基礎。
2. 有半導體砷化鎵和氮化鎵器件建模相關工作經驗,具備獨立承擔項目或關鍵任務的能力,能夠在復雜的工作環(huán)境中解決實際問題。
3.精通半導體器件物理原理,尤其是砷化鎵和氮化鎵器件,深入理解其工作機制、特性以及與工藝的關聯性。
4.熟練掌握IC-CAP、MQA、ADS、Ansys等主流的半導體器件建模與仿真軟件,能夠運用這些工具進行高效的模型開發(fā)和分析。
5.具備豐富的射頻器件測試經驗,熟悉各類探針臺的在片射頻器件建模參數表征方法,以及Load-Pull等射頻儀器儀表的操作和使用,能夠準確獲取、分析、處理測試數據。
6.精通各種工藝器件模型建模技術,豐富的模型建模經驗,能從數學公式中準確分析影響模型精度的根源,實現精準的模型建模。
7.具有良好的團隊合作精神,較強的英語讀寫能力,擁有較強的學習能力和創(chuàng)新思維。