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更新于 8月22日
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研發(fā)工程師

1-2萬
  • 東莞
  • 1-3年
  • 本科
  • 全職
  • 招1人

職位描述

半導體材料研發(fā)元器件芯片
崗位內(nèi)容：
1、 針對碳化硅材料運用領域研究；
2、 負責碳化硅外延生長技術(shù)（包括晶體生長、CVD薄膜生長）的研發(fā)與工藝改進，優(yōu)化現(xiàn)場作業(yè)流程，提升生產(chǎn)效率與產(chǎn)品質(zhì)量；
3、研究碳化硅芯片/器件在上下游產(chǎn)業(yè)鏈中的應用，分析客戶需求與行業(yè)動態(tài)，推動產(chǎn)品與市場需求的精準匹配；
4、主導碳化硅外延工藝研發(fā)，負責外延設備的日常維護、Recipe參數(shù)設定與優(yōu)化，確保工藝穩(wěn)定性和設備高效運行；
5、通過工藝優(yōu)化與流程改進，持續(xù)提升產(chǎn)品良率及成品率，降低生產(chǎn)成本；
6、研究并引入外延工藝新技術(shù)，主導新產(chǎn)品試制及新工藝的量產(chǎn)導入；
7、負責碳化硅外延生產(chǎn)計劃的制定與執(zhí)行，優(yōu)化生產(chǎn)時序安排，解決工藝異常問題；
8、跟蹤外延片性能數(shù)據(jù)，進行分析與改善，形成標準化報告。
崗位要求：
研發(fā)工程師
1、碩士及以上學歷，專業(yè)要求材料、機械、物理、微電子、化工或其他半導體相關(guān)專業(yè)；有2年以上工作經(jīng)驗，學歷可放寬至本科學歷；
2、具有1年以上的半導體材料加工、晶圓室溫鍵合或臨時鍵合工藝相關(guān)經(jīng)驗；
3、熟悉離子注入(Ion Implantation)或晶圓剝離(Wafer Exfoliation)技術(shù)；
4、有碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等寬禁帶半導體材料制備或鍵合經(jīng)驗者優(yōu)先；
5、有離子注入工藝模擬軟件（如SRIM、 Sentaurus）使用經(jīng)驗優(yōu)先；
6、熟悉中試線或量產(chǎn)線工藝流程者優(yōu)先。
研發(fā)工程師（外延）
1、碩士及以上學歷，專業(yè)要求材料、機械、物理、微電子、化工或其他半導體相關(guān)專業(yè)；有2年以上工作經(jīng)驗，學歷可放寬至本科學歷；
2、具有1年以上的碳化硅半導體相關(guān)產(chǎn)品設計、研發(fā)等一線經(jīng)驗（研究生課題方向或工作經(jīng)歷均可）；
3、具有扎實的碳化硅功率器件、半導體器件設計與制作相關(guān)的理論基礎；
4、能夠獨立完成碳化硅功率器件的設計和調(diào)試者優(yōu)先。
研發(fā)工程師（磨拋）
1、本科及以上學歷，專業(yè)要求材料、機械、物理、微電子、化工或其他半導體相關(guān)專業(yè)；
2、具有1年以上的硬脆材料的研磨拋光（MP、CMP和減薄）工作經(jīng)驗；
3、有半導體薄膜沉積（PVD/CVD）或反應離子刻蝕(RIE)經(jīng)驗優(yōu)先。
研發(fā)工程師（檢測）
1、本科及以上學歷，專業(yè)要求材料、機械、物理、微電子、化工或其他半導體相關(guān)專業(yè)；
2、具有1年以上的化合物半導體晶片的檢測工作經(jīng)驗；
3、有使用二次離子質(zhì)譜（SIMS）分析薄膜層的摻雜濃度與均勻性或使用X射線衍射（XRD）評估剝離后的晶圓表面質(zhì)量與缺陷的經(jīng)驗優(yōu)先。
研發(fā)工程師（清洗）
1、大專及以上學歷，專業(yè)要求材料、機械、物理、微電子、化工或其他半導體相關(guān)專業(yè)；
2、具有1年以上的化合物半導體晶片的清洗工作經(jīng)驗；
3、有碳化硅襯底或外延片的清洗工作經(jīng)驗優(yōu)先。
福利待遇：
周末雙休、包食宿、五險一金、帶薪假期等

工作地點

東莞天域半導體科技有限公司(西南1門)

職位發(fā)布者

陳仲詩/人事經(jīng)理

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公司Logo廣東天域半導體股份有限公司
廣東天域半導體股份有限公司成立于2009年，位于廣東省東莞市松山湖國家高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)園區(qū)，是我國最早實現(xiàn)第三代半導體碳化硅外延片產(chǎn)業(yè)化的企業(yè)，也是國內(nèi)第一家獲得汽車質(zhì)量認證(IATF 16949)的碳化硅半導體材料企業(yè)。經(jīng)過十余年的技術(shù)積累沉淀，公司已發(fā)展成為全球碳化硅外延片的主要供應商，在產(chǎn)品技術(shù)參數(shù)和客戶器件良率等方面已達國際領先水平，是我國碳化硅領域少數(shù)具備國際競爭力的企業(yè)之一。公司擁有國際最頂尖的碳化硅外延設備，憑借先進的外延工藝為客戶提供N型、P型摻雜半導體材料，可制作650V~3300V、3300V~20000V單極和雙極功率器件，主要包括SBD、MOSFET、IGBT、JBS等，這些功率器件廣泛應用于新能源汽車、光伏儲能、軌道交通、智能電網(wǎng)、工業(yè)電源等領域。
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