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江蘇鎵宏半導體有限公司成立于2021年，是香港上市公司宏光半導體投資的全資子公司。項目發(fā)起人為氮化鎵領(lǐng)域領(lǐng)軍人物，以業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的氮化鎵功率器件和其全新應用為拳頭產(chǎn)品，充分發(fā)揮國際領(lǐng)先的6-8寸硅基氮化鎵功率器件全套生產(chǎn)制造技術(shù)的優(yōu)勢，匯集供應鏈資源、核心技術(shù)、產(chǎn)品制造、核心客戶、資本市場和地方政府支持等關(guān)鍵資源，組織籌建新型的IDM產(chǎn)品平臺，助力中國在第三代半導體產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域的跨越式發(fā)展。公司租賃原晶旺光電生產(chǎn)車間約7000平方米、辦公樓約2600平方米。建設(shè)2條氮化鎵功率器件芯片生產(chǎn)中試線，用于研發(fā)和生產(chǎn)氮化鎵外延片、功率器件芯片及其相關(guān)應用。已經(jīng)投資3.3億元，其中2億元用于廠房升級改造和設(shè)備采購，包括金屬有機化合物氣相沉積系統(tǒng)、全自動光刻機、等離子體刻蝕機、涂膠顯影機、干法刻蝕機等設(shè)備200余臺套，年生產(chǎn)氮化鎵功率器件芯片8000萬顆。公司核心團隊結(jié)合了掌握氮化鎵工藝核心技術(shù)的美國團隊和具有豐富的硅集成電路生產(chǎn)管理經(jīng)驗的臺灣團隊，擁有全面駕馭產(chǎn)業(yè)和市場發(fā)展的實力。公司將依托核心團隊對第三代半導體氮化鎵功率器件設(shè)計、外延生長、芯片工藝、封裝測試、模組系統(tǒng)等關(guān)鍵技術(shù)的研發(fā)經(jīng)驗，以及國際半導體企業(yè)成熟的管理體系相結(jié)合，建立氮化鎵功率芯片國產(chǎn)化的技術(shù)開發(fā)平臺。