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【崗位職責(zé)】
1. 負(fù)責(zé)基于氮化鋁（AlN）材料的PMUT器件核心工藝流程的開發(fā)與優(yōu)化，包括薄膜沉積（如PVD/PLD/MOCVD）、刻蝕、封裝等關(guān)鍵環(huán)節(jié)；
2. 與產(chǎn)品設(shè)計團(tuán)隊緊密協(xié)作，推進(jìn)設(shè)計-工藝聯(lián)動，確保器件結(jié)構(gòu)設(shè)計與制造流程的高度匹配；
3. 搭建并持續(xù)優(yōu)化MEMS制造流程，提升工藝良率、穩(wěn)定性與一致性，支持產(chǎn)品向量產(chǎn)過渡；
4. 對AlN壓電層的應(yīng)力、結(jié)晶性、厚度均勻性、電極接觸質(zhì)量等參數(shù)進(jìn)行過程控制與分析；
5. 制定并實(shí)施工藝實(shí)驗方案，完成工藝窗口探索、關(guān)鍵參數(shù)建模、DOE實(shí)驗設(shè)計等工作；
6. 協(xié)助建立產(chǎn)線標(biāo)準(zhǔn)化工藝規(guī)程，輸出技術(shù)文檔；
7. 解決工藝異常問題，持續(xù)推進(jìn)質(zhì)量提升與良率改善。
【任職要求】
1. 材料科學(xué)、微電子、物理、機(jī)械電子等相關(guān)專業(yè)本科及以上學(xué)歷，具備MEMS器件制造經(jīng)驗，有PMUT相關(guān)經(jīng)驗優(yōu)先；
2. 熟悉AlN材料的薄膜沉積特性及常用制程設(shè)備（如磁控濺射、PLD、ICP-RIE、干濕法刻蝕等）；
3. 具備MEMS器件制程集成思維，能獨(dú)立搭建并調(diào)試核心工藝流程；
4. 熟悉超凈間環(huán)境下的工藝開發(fā)流程，了解晶圓加工、封裝、測試工藝鏈；
5. 熟練使用制程相關(guān)分析工具（如XRD、SEM、AFM、XPS等）進(jìn)行材料與工藝評估；
6. 具備扎實(shí)的文檔撰寫能力，能輸出工藝方案、優(yōu)化報告及量產(chǎn)工藝規(guī)范；
7. 具備良好的跨部門溝通能力和團(tuán)隊協(xié)作精神，有推動工藝落地與技術(shù)轉(zhuǎn)移經(jīng)驗者優(yōu)先。