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更新于 9月12日

先進(jìn)封裝金屬化技術(shù)研發(fā)工程師(FOPLP/CoPoS方向)

1.5-3萬
  • 南通通州區(qū)
  • 3-5年
  • 碩士
  • 全職
  • 招1人

職位描述

FOPLPCOPOS芯片封裝封裝工藝電子/半導(dǎo)體/集成電路
??【公司簡(jiǎn)介】??
我們是一家專注于先進(jìn)半導(dǎo)體封裝技術(shù)的創(chuàng)新型企業(yè),聚焦AI、高性能計(jì)算(HPC)、數(shù)據(jù)中心等前沿領(lǐng)域,核心布局??FOPLP(扇出型面板級(jí)封裝)??與??CoPoS(Chip on Panel Substrate)??技術(shù)研發(fā),已突破2μm線寬線距(2μm L/S)先進(jìn)封裝工藝。當(dāng)前,為解決高算力芯片高帶寬、低功耗、高可靠性需求,公司正加速推進(jìn)??先進(jìn)金屬化工藝??研發(fā)(涵蓋微凸點(diǎn)、TSV/混合鍵合、厚銅互連等),亟需金屬化領(lǐng)域技術(shù)專家加入,共同定義下一代封裝的核心連接技術(shù)!
【崗位職責(zé)】??
??1、金屬化工藝開發(fā)??:負(fù)責(zé)FOPLP/CoPoS等先進(jìn)封裝中金屬化工藝(如微凸點(diǎn)(Micro-Bump)、硅通孔(TSV)、混合鍵合(Hybrid Bonding)、厚銅互連等)的設(shè)計(jì)與優(yōu)化,突破高深寬比填充、低應(yīng)力沉積、高可靠性鍵合等技術(shù)瓶頸。
2、材料與設(shè)備協(xié)同??:協(xié)同材料團(tuán)隊(duì)開發(fā)適配先進(jìn)封裝的金屬化材料(如銅柱電鍍液、UBM阻擋層、鍵合界面材料),優(yōu)化電鍍、濺射、退火等設(shè)備參數(shù),提升工藝一致性與良率。
3、可靠性與失效分析??:主導(dǎo)金屬化結(jié)構(gòu)的可靠性驗(yàn)證(如熱循環(huán)、機(jī)械沖擊、電遷移(EM)/電遷移空洞(TDDB)測(cè)試),利用TEM、EBSD、3D-SEM等工具分析失效機(jī)理(如界面開裂、金屬間化合物(IMC)過度生長(zhǎng)),推動(dòng)工藝迭代。
4、跨部門技術(shù)對(duì)接??:與封裝設(shè)計(jì)(DFM)、工藝整合(PIE)、測(cè)試(QA)團(tuán)隊(duì)協(xié)作,確保金屬化工藝與封裝整體方案匹配;支持客戶樣品導(dǎo)入,解決量產(chǎn)中的金屬化相關(guān)問題(如散熱不均、信號(hào)損耗)。
5、技術(shù)前瞻布局??:跟蹤行業(yè)趨勢(shì)(如2.5D/3D封裝、異構(gòu)集成),研究新型金屬化技術(shù)(如納米銅鍵合、自組裝分子層(SAM)界面改性),為公司技術(shù)路線圖提供決策支持。
【任職要求】??
1、教育背景??:材料科學(xué)與工程、電子科學(xué)與技術(shù)、應(yīng)用化學(xué)、物理等相關(guān)專業(yè)碩士及以上學(xué)歷,博士?jī)?yōu)先;有微納制造、電化學(xué)、表面物理等交叉背景者優(yōu)先。
2、經(jīng)驗(yàn)要求??:3年以上半導(dǎo)體封裝金屬化工藝研發(fā)經(jīng)驗(yàn),有??先進(jìn)封裝(FOPLP、CoWoS、EMC、HDI)??或??高可靠性互連(如汽車電子、AI芯片)??領(lǐng)域經(jīng)驗(yàn)者優(yōu)先;熟悉2μm及以下線寬線距下金屬化工藝(如微凸點(diǎn)間距≤20μm)者優(yōu)先。
3、技術(shù)能力??:
(1)深入理解金屬化核心工藝(電鍍、濺射、鍵合、退火)的物理/化學(xué)機(jī)制,掌握微納尺度下金屬生長(zhǎng)(如銅柱填充、阻擋層沉積)與界面反應(yīng)規(guī)律;
(2)熟悉先進(jìn)封裝制程(如TSV刻蝕、晶圓減薄、塑封料(EMC)特性),能分析金屬化與封裝其他工序(如塑封、表面處理)的兼容性問題;
(3)精通可靠性測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)(如JEDEC JESD22、AEC-Q100)與失效分析方法(如FIB-TEM、XPS深度剖析),能主導(dǎo)DOE實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)優(yōu)化工藝窗口;
(4)了解行業(yè)技術(shù)動(dòng)態(tài)(如混合鍵合替代傳統(tǒng)凸點(diǎn)的趨勢(shì)、低介電常數(shù)(low-k)介質(zhì)對(duì)金屬化的挑戰(zhàn)),具備技術(shù)創(chuàng)新與專利布局能力。
4、綜合素養(yǎng)??:優(yōu)秀的跨部門溝通與項(xiàng)目管理能力;良好的英語讀寫能力(需閱讀國(guó)際期刊/專利);具備技術(shù)論文發(fā)表或?qū)@珜懡?jīng)驗(yàn)者優(yōu)先。
?【我們提供】??
1、行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)力的薪酬??:如果您是我們尋找的高手,薪資將不是您需要擔(dān)心的問題。我們樂于與您共同探討一個(gè)能匹配您價(jià)值的方案,包含績(jī)效獎(jiǎng)金、項(xiàng)目跟投權(quán)及核心技術(shù)崗位津貼。
2、頂尖研發(fā)資源??:配備先進(jìn)的金屬化工藝實(shí)驗(yàn)室(如電鍍線、濺射臺(tái)、鍵合機(jī)、3D-SEM/FIB設(shè)備)、可靠性測(cè)試平臺(tái)(熱循環(huán)/機(jī)械沖擊試驗(yàn)箱)。
3、職業(yè)成長(zhǎng)空間??:參與前沿技術(shù)攻關(guān)(如2.5D CoWoS金屬化、FOPLP大尺寸面板鍵合),直接向研發(fā)副總匯報(bào),快速成長(zhǎng)為領(lǐng)域?qū)<摇?br>4、完善福利體系??:六險(xiǎn)一金、彈性工作制、年度健康體檢、高端技術(shù)培訓(xùn)(如國(guó)際封裝會(huì)議、設(shè)備廠商認(rèn)證)、員工股權(quán)激勵(lì)計(jì)劃。
5、產(chǎn)業(yè)資源支持??:與全球頭部晶圓廠(如臺(tái)積電、三星)、封裝廠(如日月光、長(zhǎng)電科技)及材料巨頭(如安森美、京瓷)深度合作,提供技術(shù)交流與國(guó)際項(xiàng)目機(jī)會(huì)。
我們期待與您共同攻克先進(jìn)封裝“連接”難題,為AI/HPC芯片提供更可靠的“神經(jīng)脈絡(luò)”!

工作地點(diǎn)

南通通州區(qū)江海圓夢(mèng)谷

職位發(fā)布者

沈女士/人事經(jīng)理

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制局半導(dǎo)體憑借強(qiáng)大的實(shí)力與卓越的戰(zhàn)略布局,在江蘇常州及南通均設(shè)有公司,其中制局半導(dǎo)體(南通)有限公司是制局半導(dǎo)體(江蘇)有限公司全資子公司。擁有雄厚的實(shí)力及廣闊的發(fā)展前景,無論是常州的文化底蘊(yùn)與現(xiàn)代活力,還是南通的獨(dú)特風(fēng)情與發(fā)展機(jī)遇,都能滿足您對(duì)生活的多元追求??梢愿鶕?jù)自身的職業(yè)規(guī)劃、生活偏好等因素,綜合權(quán)衡后做出最適合自己的抉擇。我們熱忱歡迎您加入制局大家庭,一同在這里鑄就輝煌的職業(yè)篇章,實(shí)現(xiàn)自己的人生價(jià)值。期待您的踴躍投遞,開啟您在制局半導(dǎo)體的精彩職業(yè)生涯之旅!制局半導(dǎo)體團(tuán)隊(duì)自2015年歸國(guó)后,始終致力于為客戶提供優(yōu)質(zhì)異構(gòu)系統(tǒng)集成模組整體解決方案,含設(shè)計(jì)、仿真、先進(jìn)封裝制造、功能認(rèn)證、性能測(cè)試,2016年即完成行業(yè)首條線寬線距5微米FOPLP生產(chǎn)線通線并商用交單。制局半導(dǎo)體以小芯片設(shè)計(jì)和先進(jìn)封裝制造為基礎(chǔ)的異構(gòu)系統(tǒng)集成方案是集成電路后摩爾時(shí)代產(chǎn)業(yè)可持續(xù)高速增長(zhǎng)方向。根據(jù)Yole的預(yù)測(cè),高端封裝市場(chǎng)規(guī)模將從2023年的43億美元增長(zhǎng)至2029年的280億美元,年增長(zhǎng)達(dá)37%。根據(jù)martket.us的預(yù)測(cè),全球Chiplet市場(chǎng)規(guī)模將由2023年的31億美元增長(zhǎng)至2033年的1070億美元,年增長(zhǎng)約42.5%。制局半導(dǎo)體是小芯片和異構(gòu)集成技術(shù)先行者,提供系統(tǒng)芯片及模組整體解決方案,涵蓋硅介質(zhì)層或玻璃基板 2.5D模組;高密度扇出多層重布線的模組;橋接功能模組。項(xiàng)目技術(shù)平臺(tái)融合FOPLP、Bumping、TSV/TGV、2.5/3D、Embedded等,實(shí)現(xiàn)PMIC、射頻、SiC、GaN、GPU、CPU模組制造。制局FOPLP技術(shù)在提升芯片功能密度、縮短互聯(lián)長(zhǎng)度以及進(jìn)行系統(tǒng)重構(gòu)等方面均展現(xiàn)出顯著優(yōu)勢(shì),符合AI時(shí)代對(duì)芯片性能要求。
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